ATtiny26L 主要特性如下:
高性能、低功耗的 8 位元AVR 微處理器
RISC 結構
– 118 條指令 – 大多數指令執行時間為單個時鐘週期
– 32個8 位通用工作寄存器
– 全靜態工作
– 工作於16 MHz 時性能高達16 MIPS
非易失性程式和資料記憶體
– 2K 位元組的系統內可編程Flash
擦寫壽命: 10,000 次
– 128 位元組的系統內可編程 EEPROM
擦寫壽命: 10,000 次
– 128 位元組的片內SRAM
– 可以對鎖定位元進行編程以及實現EEPROM 資料的加
外設特點
– 具有獨立預分頻器的8 位計時器/ 計數器
– 具有獨立預分頻器的高速8 位計時器
2 個具有獨立輸出比較寄存器的高頻率PWM
非重疊的反相PWM 輸出引腳
– 具有開始狀態檢測器的通用串列介面
– 10位ADC
11 個單端通道
8 個差分ADC 通道
7 對具有可編程增益(1x, 20x)的差分通道
– 片內模擬比較器
– 外部中斷
– 11個引腳電平變化可以觸發中斷
– 具有獨立片內振盪器的可編程看門狗計時器
特殊的處理器特點
– 低功耗空閒模式、雜訊抑制模式、省電模式
– 上電復位以及可編程的掉電檢測
– 片內/ 片外中斷源
– 通過SPI 埠在系統內可編程
– 經過標定的片內RC 振盪器
O 和封裝
– 20引腳PDIP/SOIC: 16 個可編程I/O 線
– 32引腳MLF: 16 個可編程I/O 線
工作電壓
– ATTiny26L:2.7V - 5.5V
– ATTiny26:4.5V - 5.5V
速度等級
– ATTiny26L:0 - 8 MHz
– ATTiny26:0 - 16 MHz
ATTiny26LL 的功耗
– 16 MHz, 5V, 25°C:15 mA
– 1 MHz, 3V, 25°C: 0.70 mA
– 1 MHz, 3V, 25°C, 空閒模式: 0.18 mA
– 掉電模式: < 1 μA
ATtiny26L 記憶體
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Flash ROM
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2KB
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SRAM
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128B
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SRAM
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128B
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ATtiny26L 性能參數特性 |
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工作頻率
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0-8MHz (ATtiny26L)
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0-16MHz (ATtiny26) | |
工作電壓
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2.7-5.5V (ATtiny26L)
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4.5-5.5V (ATtiny26) | |
I/O口
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16個
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16位計時器 / 計數器
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NO |
8位計時器 / 計數器
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2 |
PWM
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2 |
RTC
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NO |
SPI
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USI |
UART
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NO |
TWI
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USI |
10位ADC
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11 |
模擬比較器
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1 |
WDT
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1(帶獨立片內振盪器) |
外部中斷
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1 |
睡眠模式
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4種 |
硬體乘法器
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NO |
引腳電平中斷/喚醒功能
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YES |
片內振盪器
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YES |
掉電檢測
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YES |
上電復位
|
YES |
ATtiny26L 封裝與引腳數
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PDIP
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20PIN |
SOP
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20PIN |
QFN / MLF
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32PIN |
ATtiny26L 編程與調試方式 |
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編程方式
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ISP H/PV |
仿真方式
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仿真頭接入,模擬式仿真 |