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| 商品簡介 |
| 商品屬性 | 屬性值 |
| RoHS | 詳細資料 |
| 技術: | Si |
| 通道數: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 20 V |
| Id - C連續漏極電流: | 3.9 A |
| Rds On - 漏-源電阻: | 31 mOhms |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 450 mV |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | 4.5 V |
| Qg - 閘極充電: | 7.5 nC |
| 最低工作溫度: | - 55 C |
| 最高工作溫度: | + 150 C |
| Pd - 功率消耗 : | 0.75 W |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 高度: | 1.45 mm |
| 長度: | 2.9 mm |
| 系列: | SI2 |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 寬度: | 1.6 mm |
| 互導 - 最小值: | 30 S |
| 下降時間: | 10 ns |
| 上升時間: | 30 ns |
| 標準斷開延遲時間: | 35 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 9 ns |
| 每件重量: | 8 mg |
| 商品規格 |
| 下載資料 |
| 出貨清單 |